Новые технологии
МОРИОН
Altera
Analog Devices
Atmel
Apex
AVX
Aydin Displays
Bivar
Bopla
Bourns
CP Clare
C&D Technologies
Cygnal Integrated
Cypress
Datatronics
Datel
Densitron
Elekon
EPCOS
Ericsson
Fairchild Semic.
Fluke Corporation
Fujitsu Microelectronics
Harting
Holtek
International Rectifier
Ironwood Electronics
ISSI
MILLER Magnetics
Kingbright
Linear Technology
Maxim, Dallas Sem.
Microchip Technology
Mini-Circuits
Molex
Motorola
Murata
PEAK electronics
Philips
Power-One
Pulse
RCD Components Inc
Semicron
Sipex
Sprague-Goodman
Stegmann
STMicroelectronics
Tamura
Temic
Texas Instruments
Toshiba
Traco Power
Tyco Electronics
Zilog
|
Издательство журнала
"BUSINESS электроника". представляет новейшие разработки мировых производителей электронных компонентов. |
|
|
Английская версия |
ОПЫТНЫЙ ОБРАЗЕЦ РЕЛЕ НА ОСНОВЕ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ МИКРОСИСТЕМ ПОЗВОЛЯЕТ ПЕРЕКЛЮЧАТЬ СИГНАЛЫ ЧАСТОТОЙ 20-ГГЦ |
Компания Omron Electronics (г. Шаумбург, шт. Иллинойс) - производитель электронных компонентов - разработала опытный образец ультраминиатюрного РЧ реле с использованием технологии электромеханических микросистем (MEMS) для коммутации сигналов частотой до 20 ГГц. Микроэлектромеханическое реле (MMR) размерами 1,8 x 1,8 x 1 мм имеет размеры в 1/100-ую меньше размеров самых малогабаритных обычных электромеханических реле, аналогичных реле сери G6K, изготавливаемых этой компанией, что делает их самыми малогабаритными в мире контактными реле. Кроме того, при наличии вносимых потерь 1,3 дБ или менее и изоляции сигналов 20 дБ или более, MMR-реле позволяет достичь РЧ характеристик, превосходящих любые производимые прежде реле.
Коммутационные полупроводниковые устройства обычно использовали взамен электромеханических, если последние не удовлетворяли требованиям технических условий. Однако эти устройства имеют несколько недостатков, в том числе значительные потери мощности коммутируемого сигнала, узкая полоса частот и генерация паразитного РЧ излучения при коммутации, что требует применения дополнительной РЧ фильтрации.
В MMR технологии используется фирменная вертикальная структура сквозного соединения, в которой провод с площадки формируется в вертикальном направлении в пределах подложки. Коммутация осуществляется путем фактического перемещения механических контактов, созданных при производстве электромеханической микросистемы.
Другие характеристики устройства следующие: диапазон частот от 2 до 20 ГГц, время коммутации 1 мс. Устройство функционирует от сигнала управления напряжением 24 В.
Устройство предназначено для коммерческого применения в 2004 году.
|
| - | - |
ПРОЦЕСС ОХЛАЖДЕНИЯ ЧИПА УЛУЧШАЕТ МОЩНОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
Инженеры Технического Отделения Калифорнийского Университета (г. Лос-Анжелес, шт. Калифорния) и научно-исследовательский и опытно-конструкторский отдел компании Rockwell Scientific (г. Саузанд Оукс, шт. Калифорния) разработали метод охлаждения аэрозольной жидкостью, который обеспечивает большую выходную мощность и повышает КПД малогабаритных электронных устройства, таких как LD-MOSFET транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). Дублированная микроаэрозольная технология может повысить выходную мощность устройств с 66 до 84 Вт, при этом повышение КПД по мощности достигнет 34% по сравнению с обычными методами охлаждения, такими как погружение в жидкость или принудительная конвекция.
Хотя аэрозольное охлаждение в настоящее время применяют на более крупных компонентах и в целом на схемных платах, эти новая технология является первой, применяемой для отдельных чипов. Исследователи наносили водяной аэрозоль со скоростью 0,14 л/мин из матричных форсунок 4,86 x 1,53 мм, состоящих из 28 горизонтальных и 18 вертикальных отверстий, для охлаждения транзистора, находящегося в корпусе 500-ваттного усилителя мощности. Тепло рассеивается из системы посредством тепловой конвекции и испарения.
В случае LD-MOSFET транзисторов с входной мощностью 23 Вт испытания показали, что компоненты без применения аэрозольного охлаждения начинали выходить из строя при резком снижении выходной мощности примерно с 72 Вт до около 65 Вт. Одновременно транзистор с аэрозольным охлаждением достигал выходной мощности 84 Вт при входной мощности 34 Вт, т.е. примерно на 27% больше, чем в системах без аэрозольного охлаждения при той же входной мощности.
Исследователи полагают, что технология наиболее приемлема для жестких условий окружающей среды, которые имеются в радиолокационном оборудовании, в самолетной технике, в электродвигателях, температуры в которых могут достигать свыше 150 °C. Планируется также проведение экспериментов в полупроводниках с широкой запрещенной зоной, которые нагреваются больше транзисторов LD-MOSFET
|
| - | - |
ОРГАНИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ ПОЗВОЛИТ НАЙТИ НОВОЕ ДЕШЕВОЕ И БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕЕ РЕШЕНИЕ |
Исследователи Технического Отделения Калифорнийского Университета (г. Лос-Анжелес, шт. Калифорния) создали устройство органической энергонезависимой памяти, которое дешевле и почти в 3 миллиона раз быстрее современных устройств энергонезависимой памяти. Исследователи предполагают, что такое устройство обладает огромным потенциалом использования в персональных компьютерах, карманных компьютерах и цифровых камерах вследствие меньшего веса и улучшенного времени реакции.
Трехслойное устройство памяти состоит из металлического слоя, внедренного между двумя органическими пленками, образующими пакет, соединенный с двумя электродами. Положительное напряжение прикладывают к устройству для его включения.
Устройство действует на принципе электрической бистабильности - явлении, в котором объект обладает двумя устойчивыми состояниями с разной проводимостью при одинаковом приложенном напряжении. Такое поведение объекта идеально пригодно для коммутации и применения в устройствах памяти.
Помимо возможности перезаписи информации, сохранение устройством состояния включения и выключения и его рабочие характеристики под нагрузкой важны для практического применения. Точное управление состояниями включения-выключения, возможность многократной перезаписи информации и стабильность устройства являются ключевыми параметрами для такого применения, как например в цифровых камерах.
Переход из выключенного состояния во включенное состояние эквивалентно процессу записи в обычной памяти. Устройство остается в этом состоянии даже при обесточивании электропитания.
При испытаниях устройство сохраняет включенное состояние на период от нескольких суток до нескольких недель, что делает пригодным его применение в устройствах, где важно обеспечить сохранение информации в памяти, но практически неудобно поддерживать питание постоянно включенным. При подаче импульса напряжения с обратной полярностью память можно сбросить в выключенное состояние - эта операция эквивалентна процессу стирания информации. Более 3 миллионов циклов запись-стирание можно произвести на устройстве памяти при сохранении хороших характеристик перезаписи.
Электрическую бистабильность в органических материалах изучали и прежде, используя достижения в различных устройствах. Основным отличием устройства UCLA является наличие внедренного металлического слоя между органическими пленками.
Фактически электрическую бистабильность этого устройства можно наблюдать, только если металлический слой имеет некоторую критическую толщину. Если металлический слой слишком тонок или совсем отсутствует, исследователи обнаружили, что явление бистабильности исчезает.
Были проведены эксперименты с алюминием, серебром, золотом и медью, однако принцип действия этого механизма пока еще находится на стадии исследования.
|
| - | - |
УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ ЗАМЕНЯЮТ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПРОВОДНИКИ В ИМС |
Исследователи ИМС из компании Infineon Technologies (г. Мюнхен, Германия) совершили прорыв в технологии углеродных нанотрубок, что позволило им вырастить углеродные нанотрубки (CNT) в заранее заданных местоположениях на 6-дюймовых кристаллических пластинах ИМС. Компания надеется, что это открытие позволит ей заменить все металлические проводники на кристаллах ИМС углеродными нанотрубками (CNT).
Многочисленные другие преимущества CNT делают углеродные нанотрубки наилучшим материалом для перспективной полупроводниковой технологии, они обладают существенно более высокой надежностью позволяют и значительно увеличить тактовые частоты ИМС на одном кристалле. Однако ранее методы производства CNT, такие как лазерная абляция и дуговой разряд, было трудно совместить с полупроводниковой технологией.
Одним из наиболее важных свойств CNT является их высокая проводимость, которая позволяет обеспечивать высокую плотность тока - до 1010 A/см2 (медь начинает плавиться при плотности тока 107 A/см2 ). Исследователи предсказывают, что в ближайшие 10 лет монтажные соединения кристаллов ИМС должны будут пропускать плотность тока до 3,3 x 106 A/см2 , что для современных проводников невозможно.
Ток в углеродных нанотрубках протекает без эффекта трения, тем самым избыточное тепло не формируется. Тепло возникает только в точках контакта с другими материалам, если CNT используются в качестве соединителей. Высокая теплопроводность CNT помогает и в этом случае - она почти в два раза больше, чем у алмаза (3000 Вт/м-K).
Первым применением этого технологического прорыва стали межслойные переходные отверстия. Вследствие высокой плотности тока и образующегося из-за этого тепла обычные межслойные переходные отверстия приводят к искажению рабочих функций чипов.
Хотя ученые компании Infineon надеются, что CNT в конце концов полностью заменят полупроводниковую технологию на основе кремния, их следующим шагом в применении CNT будет расширение имеющейся технологии планарной микроэлектроники в соответствующую объемную 3-D технологию.
|
| - | - |
НОВЫЙ СТАНДАРТ ДЛЯ РАБОТЫ С ДИСКОВЫМИ НАКОПИТЕЛЯМИ ПРИВЕЛ К ОБНОВЛЕНИЮ ИНТЕРФЕЙСА BIOS ДЛЯ ПАМЯТИ СВЕРХБОЛЬШОЙ ЕМКОСТИ |
Начаты работы по стандартизации и обновлению интерфейса BIOS, который компьютерные операционные системы могут использовать для доступа к устройствам памяти сверхбольшой емкости. Предлагаемый стандарт - Расширенный сервис дисковых накопителей (Enhanced Disk Drive Services 3 или EDD-3) - будет распространяться на системы с использованием интерфейсов ATA/ATAPI, SCSI, Fibre Channel, IEEE 1394, Infiniband, PCI Express, USB, Serial ATA и других шин, к которым могут подключаться дисковые накопители.
Новый стандарт является результатом работы Технического Комитета T13 Международного Комитета по стандартам в информационной технологии (INCITS), штаб-квартира которого находится в г. Вашингтон, округ Колумбия. Технический Комитет представлен ведущими производителями изделий и услуг США в области информационной технологии. Стандарт EDD-3 построен на основе действующего стандарта EDD-2, в нем также могут быть оговорены функции HyperTransport, начальной загрузки с CD-ROM, функции 0-39h прерывания INT 13, а также иные предложения по интерфейсам, которые возникают в процессе работы над стандартом.
Важной идеей предлагаемого нового BIOS является перспективная адресация устройств, при которой хост имеет адресное пространство до 64 бит, а устройство имеет адресное пространство более 28 бит. Будет также составлена документация по интерфейсу BIOS для адресации цилиндр-сектор головки и для адресации логических блоков.
|
| - | - |
ПРЕДПОЛАГАЕТСЯ, ЧТО НЕОРГАНИЧЕСКИЕ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ИНДИКАТОРЫ (IED) СОСТАВЯТ КОНКУРЕНЦИЮ СУЩЕСТВУЮЩИМ УСТРОЙСТВАМ, ЗАНИМАЮЩИМ ПЕРВОЕ ПОЛОЖЕНИЕ В РАЗРАБОТКЕ ПЛОСКИХ БОЛЬШИХ ИНДИКАТОРНЫХ ПАНЕЛЕЙ. ОПЫТНЫЙ ОБРАЗЕЦ 17-ДЮЙМОВОГО IED ДИСПЛЕЯ СЛУЖИТ ПРИМЕРОМ ТОГО, НАСКОЛЬКО ДАЛЕКО ПОДВИНУЛАСЬ ТЕХНОЛОГИЯ. |
Опытный образец 17-дюймового дисплея с использованием неорганических электролюминесцентных материалов был представлен компанией iFire Technology - производителем плоскопанельных дисплеев, которая является дочерним отделением компании Westaim (г. Торонто, Онтарио, Канада). Индикаторное устройство с VGA-разрешением представляет собой значительный шаг вперед в плане компании по внедрению в производство плоскопанельных видеомониторов, занимающих среднее положение в группе с диагональю до 30 дюймов.
IED дисплеи основаны на толстопленочном диэлектрическом процессе, в котором используются меньше производственных операций, что в результате дает больший объем производства по сравнению с технологией плазменных индикаторов или с ЖКИ технологией. Кроме того, IED дисплеи не основаны на высокоточной инкапсуляцией жидкостей, или же на хрупких внутренних структурах, как в устройствах на основе плазмы или в устройствах с поддержанием высокого вакуума, как в FED и VFD технологиях.
Экран - размер которого на 400% больше, чем у представленного опытного образца, выставленного на прошлогодней конференции SID (см. журнал Electronic Products, август 2001 г., стр. 23) - может отображать 16,77 миллионов цветов, имеет степень контрастности выше 300:1, угол обзора 170°, время реакции менее 2 мс и яркость свыше 300 нит. В видеомониторе используются схемы возбуждения столбцов и геометрия пикселей, которые эквивалентны схемам для 30-дюймового дисплея с форматом пикселей XGA, разрешение можно масштабировать для соответствия телевизионным форматам SDTV и HDTV.
|
| - | - |
|
